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人工智能技术的快速发展，生成式AI已成为当前时代的核心发展方向。将生成式AI引入智能设备，特别是随身携带的智能终端中，已被视为未来技术发展的必然趋势。智能手机作为最重要的终端之一，正成为生成式AI应用的先锋 。
生成式AI对闪存提出了很高的要求，特别是在数据处理速度和传输效率方面，目前最高的闪存标准是JEDEC协会在2022年推出了UFS 4.0标准，相比上一代，传输速度等方面具有翻倍的提升，相信也是之后旗舰手机乃至新一代AI手机的标配。充电头网也将UFS各代的主要参数汇总成下表所示，让各位有一个更加 的了解
顺序读写速度会因不同的设备、 环境以及芯片厂商的优化等因素而有所差异，故以上均为理论参数大致范围，数据仅供参考。
在这一背景下，各大存储主控芯片厂商也纷纷加快了对UFS 4.0 方案的布局。
充电头网汇总了目前市面已知的一些UFS4.0主控芯片，并已汇总成下表所示，方便各位选型和了解。
排名不分先后，按企业英文首字母排序。
铠侠 一代UFS 4.0闪存芯片提供256GB、512GB和1TB容量规格。这款芯片采用了铠侠的Bi Flash 3D闪存和主控芯片，集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道23.2 Gbps或者每个设备46.4 Gbps的理论接口速度，并向后兼容UFS 3.1。
与上一代UFS 4.0产品相比，新闪存芯片的顺序写入速度提升15%，随机写入速度提升了50%，随机读取速度提升30%，顺序读取速度不变，依旧维持在464 B/s。另外，新产品采用JEDEC标准的9mm×13mm封装，比上一代11mm x 13mm的封装小18%，其中256GB和512GB的闪存封装厚度为0.8mm，1TB的封装厚度为0.9mm。
这款存储基于232层3D NAND技术构建，尺寸只有9×13mm，跟去年6月份发布的11×13mm存储 方案相比，前者的尺寸缩小了20%，同时也没有影响性能。该存储最高提供1TB空间，顺序读取速度达到了430 B/s，顺序写入速度达到了400 B/s。
PS8361瞄准最高规格的旗舰手机市场，属于UFS 4.0控制芯片，采用了12nm工艺制造，为四通道设计，最大闪存容量为1TB，搭载第六代LDPC+RAID ECC纠错技术，顺序读写速度可超过400 B/s，在其每单位mA的读取性能提升下，将能有效延长移动设备的电池使用效率。
三星新开发的 UFS 4.0 采用三星第 7 代 V-NAND 和专有控制器，将实现 4200 MB/s的顺序读取速度和 2800 MB/s 的顺序写入速度，分别是上一代 UFS 3.1 的 2 倍和 1.6 倍左右。能效同样获得大幅提升。三星全新 UFS 4.0 每毫安 (mA) 电力可提供高达 6.0 MB/s 的顺序读取速度，比 UFS 3.1 提高了 46%，相同电池容量下，它让智能手机获得更长续航时间。
三星 UFS 4.0 增 一个先进的重放保护内存块 (RPMB)。利用这种设计，对于仅在通过身份验证后才能读取或写入的重要个人数据，存储效率提高了 1.8 倍。这款新型移动存储 方案极为小巧，最大外形仅 11mm x 13mm x 1mm，最高容量可达 1TB。
2756主控芯片可以说是目前最先进的UFS4.0主控 方案之一，基于6nmEUV工艺技术，采用了双通道设计，运用了MIPIM-PHY低功耗架构，使其在性能与功耗间取得完美的平衡，满足了当今 人工智能移动装置24小时运算的需求。
在性能方面， 2756能够提供超过4,30 B/s的顺序读取速度和超过4,00 B/s的顺序写入速度，同时支持 的3DTLC和QLCNAND闪存技术，并能处理高达2TB的存储容量。
生成式AI技术的迅猛发展，智能设备的存储性能需求也在不断提升。UFS 4.0作为当前存储技术的前沿标准，正在逐渐成为智能终端的标配。
UFS 4.0不仅在传输速度方面大幅提升，更在功耗控制和数据安全性上进行了优化，使得智能手机和平板电脑等设备在处理生成式AI任务时具备更高的能效与续航表现。通过采用更先进的工艺技术以及NAND闪存架构，这些主控芯片能够为设备提供更高的性能，满足未来AI时代的严苛需求。